阶层多孔二氧化硅块体材料的制备及其应用研究

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阶层多孔二氧化硅(Si02)块体是一种大孔、介孔或微孔梯度分布的多孔材料,具有三维连贯大孔、精细介孔结构等孔道特征,因而拥有高比表面积、高吸附、高气孔率等特性,在分离、吸附、过滤、催化等重要领域具有广阔的应用前景。溶胶-凝胶伴随相分离法是制备阶层多孔Si02块体材料的有效途径,但目前制备流程需要高温后处理,且介孔结构无序,在修饰改性方面也存在工序复杂及使用有毒改性溶剂、还原剂等问题。本论文在综合论述了溶胶-凝胶伴随相分离制备阶层多孔块体材料的基础上,研究了大孔SiO2块体及阶层多孔Si02块体制备、多孔块体的环保表面改性及其银负载、CO2捕捉等内容,分析了溶胶-凝胶转化与相分离协同控制形成共连续大孔结构、棒状胶束模板形成有序介孔结构、氨基表面改性多孔骨架、乙二醇还原银离子等机理,为阶层多孔Si02块体材料在高效液相色谱分离、催化反应、CO2捕捉等领域应用奠定基础。主要研究内容及结果如下:(1)以正硅酸甲酯(TMOS)为前驱体、0.01 mol·L-1盐酸(HCL)为催化剂、聚环氧乙烷(PEO)为相分离剂、环氧丙烷(PO)为凝胶促进剂,采用溶胶-凝胶伴随相分离法制备具有三维连贯大孔,且比表面积418m2.g-1多孔Si02块体;在此基础上,引入造孔剂SDS制备阶层多孔Si02块体材料,大孔孔径为1-3μm,介孔孔径为4-5 nm,比表面积可达650m2·g-1。(2)以TMOS为前驱体、0.01 mol·L-1盐酸为催化剂、环氧丙烷(PO)为凝胶促进剂,以三嵌段共聚物聚氧乙烯-聚氧丙烯-聚氧乙烯(Pluronic P123)及三甲苯(TMB)为模板剂及膨胀剂,一步法直接制备兼具连续大孔骨架及有序介孔结构的阶层多孔Si02块体,大孔孔径为1-2μm,介孔孔径为10-11 nm,比表面积高达848m2·g-1,8000C热处理后仍能保持该阶层多孔结构稳定。(3)对制备的阶层多孔Si02进行相对无毒改性及银负载。3-氨丙基三乙氧基硅烷(APTES)作为改性剂,首次采用乙醇为改性溶剂,对其进行改性;首次采用乙二醇为还原剂,利用其还原性对改性后Si02进行银纳米颗粒负载,银负载率可达15.44wt.%。探究其改性及还原机理、银负载量影响因素,并提出通过适当温度热处理方法来提高银负载阶层多孔Si02块体的比表面积。(4)对制备的阶层多孔Si02进行氨基改性,考察氨基改性大孔及阶层多孔Si02块体材料的CO2吸附性能。测试表明:多孔材料孔结构、改性方法、改性剂相对用量对CO2吸附性能有较大的影响;通过物理浸渍法,采用聚乙烯亚胺(PEI)对阶层多孔二氧化硅(H-SiO2)进行氨基改性,所得材料吸附量可达1.37mmol/g;通过化学接枝法,采用3-氨丙基三乙氧基硅烷(APTES)对大孔(T-SiO2)及阶层多孔二氧化硅(H-SiO2)进行氨基改性,所得材料吸附量达1.45mmol/g、 1.30mmol/g。氨基改性阶层多孔Si02材料具有较强的CO2吸附性能,在长效吸附CO2领域具有应用前景。
摘要第5-7页
Abstract第7-8页
第一章 绪论第12-30页
    1.1 阶层多孔材料的研究现状第12-18页
        1.1.1 阶层多孔材料特点第12-13页
        1.1.2 多孔材料的制备技术第13-15页
        1.1.3 阶层多孔材料的应用及研究现状第15-18页
    1.2 溶胶凝胶伴随相分离法制备阶层多孔块体材料研究进展第18-22页
        1.2.1 溶胶凝胶伴随相分离原理第18-20页
        1.2.2 在凝胶骨架上引入介孔第20-22页
    1.3 银负载多孔二氧化硅材料研究及应用第22-25页
        1.3.1 银负载多孔二氧化硅材料的应用第22-25页
        1.3.2 银负载多孔二氧化硅材料的研究进展第25页
    1.4 二氧化碳捕获材料研究进展第25-28页
        1.4.1 二氧化碳捕获材料分类及发展第25-27页
        1.4.2 表面改性多孔材料作为CO_2吸附剂的研究进展第27-28页
    1.5 研究内容第28-30页
第二章 实验内容及表征方法第30-38页
    2.1 实验原料第30页
    2.2 实验设计及实验过程第30-33页
        2.2.1 大孔二氧化硅块体的制备第30-31页
        2.2.2 阶层多孔二氧化硅块体的制备第31页
        2.2.3 多孔二氧化硅块体的改性及银负载第31-32页
        2.2.4 多孔二氧化硅块体的改性及CO_2吸附实验第32-33页
    2.3 测试及表征手段第33-38页
        2.3.1 扫描电子显微镜(SEM)第33页
        2.3.2 热分析(DTA/TG)第33页
        2.3.3 X射线衍射分析(XRD)第33-34页
        2.3.4 红外光谱分析(FT-IR)第34页
        2.3.5 气体吸附法(BET)第34-35页
        2.3.6 压汞法测孔结构第35页
        2.3.7 透射电子显微镜(TEM)第35页
        2.3.8 X射线光电子能谱(XPS)第35-36页
        2.3.9 电感耦合等离子体发射光谱仪(ICP)第36-38页
第三章 大孔二氧化硅块体材料的制备及表征第38-50页
    3.1 引言第38-39页
    3.2 溶剂的影响第39-41页
    3.3 凝胶促进剂的影响第41-42页
    3.4 相分离诱导剂的影响第42-45页
    3.5 多孔孔结构表征第45-46页
    3.6 热处理的影响第46-47页
    3.7 本章小结第47-50页
第四章 阶层多孔二氧化硅块体材料的制备及表征第50-66页
    4.1 引言第50-51页
    4.2 TMOS-HCLPEO-PO-SDS体系阶层多孔二氧化硅表征第51-56页
        4.2.1 样品形貌分析第51-52页
        4.2.2 热分析第52页
        4.2.3 红外分析第52-53页
        4.2.4 孔径及比表面积分析第53-54页
        4.2.5 阶层多孔块体的热处理第54-56页
    4.3 TMOS-HCL-P123-PO-TMB体系阶层多孔二氧化硅表征第56-63页
        4.3.1 样品形貌分析第56-58页
        4.3.2 差热分析及红外分析第58-59页
        4.3.3 孔径及比表面积分析第59-60页
        4.3.4 有序介孔形成机制第60-61页
        4.3.5 阶层多孔块体的热处理第61-63页
    4.4 本章小结第63-66页
第五章 多孔二氧化硅的改性及银负载研究第66-82页
    5.1 引言第66页
    5.2 银负载多孔二氧化硅块体表征第66-70页
        5.2.1 银负载阶层多孔二氧化硅块体微观形貌第66-68页
        5.2.2 银负载多孔SiO_2块体的物相分析第68-69页
        5.2.3 银负载多孔SiO_2块体的孔结构特征第69-70页
    5.3 银负载量的影响因素第70-75页
        5.3.1 不同还原剂对银负载量的影响第70-72页
        5.3.2 改性剂APTES对银负载量的影响第72-74页
        5.3.3 还原改性次数对银负载量的影响第74-75页
    5.4 乙二醇作为还原剂的还原机制分析第75-79页
        5.4.1 银负载多孔二氧化硅块体合成机理第75-77页
        5.4.2 乙二醇的还原机制第77-79页
    5.5 热处理对银负载阶层多孔氧化硅的影响第79-80页
    5.6 本章小结第80-82页
第六章 阶层多孔二氧化硅的改性及CO_2吸附研究第82-92页
    6.1 引言第82页
    6.2 实验设计第82-83页
    6.3 物理浸渍法改性阶层多孔二氧化硅表征及CO_2吸附性能第83-86页
        6.3.1 物理浸溃法改性阶层多孔二氧化硅表征第83-84页
        6.3.2 物理浸渍法改性阶层多孔二氧化硅CO_2吸附性能第84-86页
    6.4 化学接枝法改性阶层多孔二氧化硅表征及CO_2吸附性能第86-90页
        6.4.1 化学接枝法改性阶层多孔二氧化硅表征第86-88页
        6.4.2 化学接枝法改性阶层多孔二氧化硅CO_2吸附性能第88-90页
    6.5 本章小结第90-92页
第七章 全文总结及展望第92-96页
    7.1 全文总结第92-94页
    7.2 展望第94-96页
参考文献第96-106页
致谢第106-108页
个人简历第108-110页
攻读学位期间发表的学术论文与取得的其它研究成果第110页
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