单分散二氧化硅的表面改性及二氧化硅/银复合粒子的制备
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胶体晶体在光子带隙材料、光电子器件等方面的应用而受到人们的极大关注。单分散二氧化硅因其尺寸分布狭窄满足自组装胶体晶体要求在涂料、医药等工业方面有着广泛的应用。纳米二氧化硅表面能高,极易聚集成团,不易与有机物充分混合。二氧化硅颗粒表面亲水疏油,在有机介质中难于均匀分散。要解决上述二氧化硅颗粒的分散性和与有机基体的相容性问题,必须对其进行表面改性。核壳材料因其组成、大小和结构排列不同而具有光、电和化学等特性,近年来倍受科学家的关注。单分散的二氧化硅表面包覆均匀金属壳层既能保持其狭窄的尺寸,又具有金属粒子本身所具有的尺寸效应和表面效应,其光学性质和电学性质就变得很独特。本文在大量文献调研的基础上,主要做了以下几个方面的工作。(1)在醇水溶剂中以氨作催化剂,以正硅酸乙酯(TEOS)为硅源,通过TEOS的水解和缩聚反应制备单分散二氧化硅球形颗粒;对所制二氧化硅颗粒进行垂直沉降法组装,通过分光光度计测定晶体的透射光强度来判断胶体晶体的组装效果,峰出现位置来推测胶体粒径的大小。(2)对所制单分散二氧化硅进行表面改性。经过硅烷偶联剂改性后的二氧化硅表面电位有很大降低,亲水性降低。经过丁二酸改性过的二氧化硅表面电位有很大提高。通过测定二氧化硅的润湿性可以判断修饰效果。(3)以自己制备的单分散二氧化硅微球作为核,用各种还原剂还原银离子合成SiO2/Ag复合微球。通过微电泳仪和紫外可见分光光度计等手段表征讨论各种方法对于包覆效果的影响。
摘要 | 第8-9页 |
ABSTRACT | 第9页 |
第一章 综述 | 第11-23页 |
1.1 胶体晶体的概念及其应用 | 第11页 |
1.2 单分散胶体颗粒的制备方法 | 第11-14页 |
1.2.1 沉淀法 | 第11-12页 |
1.2.2 溶胶-凝胶转变法 | 第12页 |
1.2.3 模板法 | 第12-13页 |
1.2.4 经典St(o|¨)ber法 | 第13页 |
1.2.5 播种法 | 第13页 |
1.2.6 微乳液法 | 第13-14页 |
1.3 SiO_2颗粒的表面改性 | 第14-15页 |
1.4 核-壳材料概述 | 第15-21页 |
1.4.1 核-壳材料的概念 | 第15-16页 |
1.4.2 核壳式微粒的制备 | 第16-19页 |
1.4.3 核壳式微粒的应用 | 第19-21页 |
1.5 本课题研究目标、研究内容 | 第21页 |
1.5.1 研究目标 | 第21页 |
1.5.2 研究内容 | 第21页 |
1.6 拟解决的关键问题和特色创新之处 | 第21-23页 |
1.6.1 拟解决的关键问题 | 第21-22页 |
1.6.2 本论文的特色创新之处 | 第22-23页 |
第二章 单分散二氧化硅的制备及组装 | 第23-33页 |
2.1 前言 | 第23-24页 |
2.2 实验部分 | 第24-31页 |
2.2.1 实验药品和仪器 | 第24页 |
2.2.2 实验内容 | 第24-25页 |
2.2.3 结果与讨论 | 第25-31页 |
2.3 结论 | 第31-33页 |
第三章 二氧化硅微球的表面改性 | 第33-42页 |
3.1 前言 | 第33-34页 |
3.2 硅烷偶联剂r-氨丙基三乙氧基硅烷对二氧化硅的改性 | 第34-35页 |
3.2.1 实验药品和仪器 | 第34-35页 |
3.2.2 实验内容 | 第35页 |
3.3 结果与讨论 | 第35-39页 |
3.3.1 偶联剂用量对二氧化硅表面改性的影响 | 第35-37页 |
3.3.2 溶剂对改性效果的影响 | 第37-38页 |
3.3.3 改性温度对二氧化硅改性效果的影响 | 第38-39页 |
3.4 乙二酸对二氧化硅的表面改性 | 第39-41页 |
3.4.1 实验药品和仪器 | 第39页 |
3.4.2 实验过程 | 第39页 |
3.4.3 结果与讨论 | 第39-41页 |
3.5 结论 | 第41-42页 |
第四章 二氧化硅/银复合颗粒的制备 | 第42-53页 |
4.1 前言 | 第42-43页 |
4.2 实验内容 | 第43-45页 |
4.2.1 实验药品和仪器 | 第43页 |
4.2.2 复合微球的制备(方法一) | 第43-44页 |
4.2.3 复合微球的制备(方法二) | 第44页 |
4.2.4 复合微球的制备(方法二) | 第44-45页 |
4.3 结果与讨论 | 第45-53页 |
4.3.1 方法一所得二氧化硅/银复合粒子的表征 | 第45-48页 |
4.3.2 方法二所得二氧化硅/银复合粒子的表征 | 第48-50页 |
4.3.3 方法三所得二氧化硅/银复合粒子的表征 | 第50-52页 |
4.3.4 结论 | 第52-53页 |
全文总结和展望 | 第53-54页 |
参考文献 | 第54-61页 |
附录 | 第61-62页 |
致谢 | 第62页 |
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