| 摘要 | 第2-3页 |
| Abstract | 第3页 |
| 1 绪论 | 第6-18页 |
| 1.1 气体传感器的定义及性能指标 | 第6-7页 |
| 1.2 气体传感器的分类 | 第7-9页 |
| 1.3 气敏材料—GaN纳米线 | 第9-14页 |
| 1.3.1 GaN材料的基本性质 | 第9-11页 |
| 1.3.2 纳米材料及其性质 | 第11-13页 |
| 1.3.3 GaN纳米线的研究现状 | 第13-14页 |
| 1.4 半导体气敏材料的传感机理 | 第14-15页 |
| 1.5 半导体气体传感器的研究现状 | 第15-17页 |
| 1.6 论文主要工作 | 第17-18页 |
| 2 GaN纳米线的制备及表征 | 第18-33页 |
| 2.1 GaN的制备方法 | 第18-20页 |
| 2.2 表征方法 | 第20-23页 |
| 2.2.1 SEM | 第20-21页 |
| 2.2.2 TEM | 第21-22页 |
| 2.2.3 XRD | 第22-23页 |
| 2.2.4 PL谱 | 第23页 |
| 2.3 GaN纳米线的生长及结果 | 第23-33页 |
| 2.3.1 生长过程 | 第23-28页 |
| 2.3.2 生长条件研究 | 第28-31页 |
| 2.3.3 生长结果分析 | 第31-33页 |
| 3 GaN纳米线对NO2气体的气敏测试 | 第33-44页 |
| 3.1 气敏测试系统 | 第33-35页 |
| 3.2 数据结果及分析 | 第35-44页 |
| 3.2.1 GaN器件的I-V测试曲线 | 第35-37页 |
| 3.2.2 测试步骤 | 第37页 |
| 3.2.3 湿度对GaN纳米线器件的导电性影响 | 第37-39页 |
| 3.2.4 GaN器件的气敏性测试 | 第39-40页 |
| 3.2.5 器件的气敏重复性及稳定性检测 | 第40-42页 |
| 3.2.6 GaN纳米线对NO2的气敏响应机理 | 第42-44页 |
| 4 光电增强GaN纳米器件的气敏性 | 第44-54页 |
| 4.1 GaN纳米线的光电性 | 第44-48页 |
| 4.1.1 GaN纳米线的光电性及其光电稳定性测试 | 第44-46页 |
| 4.1.2 GaN纳米线对不同光强的光电响应 | 第46-48页 |
| 4.2 GaN的光激活增强气敏性 | 第48-54页 |
| 4.2.1 光照增强气敏性测试 | 第48-51页 |
| 4.2.2 光照增强气敏性的机理解释 | 第51-54页 |
| 结论 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-61页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-64页 |
