SOI集成光波导的制备及传输特性研究
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由于传统的电子器件无法满足当今社会对信息传输容量大、速率高的要求,光波导技术应运而生,并成为实现光电集成和光子器件最具潜力的基础结构。SOI光波导具有单晶硅材料的优势,又具有高折射率对比度,同时与CMOS工艺完全兼容。随着纳米光子学及微加工工艺的发展,基于SOI材料的光电器件的单片集成成为光电子产业的重要发展方向。而高性能硅基光波导器件的实现依赖于超低损耗的光波导结构单元,光能量沿波导表面以倏逝场形式传输,波导的结构尺寸、传输模态、表面粗糙度等是影响光传输损耗的重要因素。因此,通过研究SOI光波导的传输特性与制备过程从而实现超低损耗的SOI光波导,具有重要的科学意义及应用价值。本论文的主要成果包括:1.在理论上,对SOI光波导的传输模态进行了研究,对矩形光波导在TE模态下的有效折射率、导模的截止、单模传输条件进行了分析,并对SOI光波导的传输损耗类型及表征方法进行了总结。对SOI光波导的单模传输条件进行了时域有限差分法(FDTD)仿真,对不同宽度的SOI波导进行了光场特性仿真,对不同半径的环形波导进行了弯曲损耗仿真。在理论研究及仿真结果的基础上设计了直波导、90度弯曲波导、180度弯曲波导结构、环形波导等结构。2.在SOI集成光波导的制备方面,本论文中主要进行了四寸整片工艺和分片工艺,整片工艺主要采用紫外光刻、感应耦合等离子刻蚀、聚焦离子束刻蚀加工而成,实现了最小宽度为1μm的光波导制造,分片工艺主要采用电子束光刻、磁控溅射、感应耦合等离子刻蚀等几种工艺,实现了最小宽度为500nm的波导制造。3.在测试方面,本论文对不同工艺制作的SOI波导分别进行了耦合效率及传输损耗的测试,测试手段主要借助SEM、AFM、光学测试平台等。对比得到端面耦合和垂直纳米光栅的耦合效率分别为12%和47%,并测得两批SOI矩形直波导的传输损耗分别为8.32 dB/ cm和4.67 dB/ cm,测得半径为20μm、宽度为500nm的环形波导损耗为0. 02±0.001dB /bend。
摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第10-19页 |
1.1 课题研究背景 | 第10-11页 |
1.2 光波导技术简介 | 第11-13页 |
1.3 SOI 集成光波导特性 | 第13-14页 |
1.4 光波导技术研究现状 | 第14-17页 |
1.4.1 国际研究现状 | 第14-16页 |
1.4.2 国内研究现状 | 第16-17页 |
1.5 本文的主要研究内容及意义 | 第17-19页 |
第二章 SOI 光波导传输特性的理论分析 | 第19-36页 |
2.1 SOI 矩形光波导传输模态研究 | 第19-29页 |
2.1.1 导模与辐射模 | 第19-20页 |
2.1.2 非对称三层平板光波导有效折射率分析 | 第20-23页 |
2.1.3 SOI 矩形光波导的有效折射率分析 | 第23-26页 |
2.1.4 光波导导模的截止与单模传输 | 第26-29页 |
2.2 SOI 波导传输损耗分析 | 第29-36页 |
2.2.1 散射损耗 | 第29-32页 |
2.2.2 吸收损耗 | 第32-33页 |
2.2.3 辐射损耗 | 第33-34页 |
2.2.4 模式转换损耗 | 第34-35页 |
2.2.5 耦合损耗 | 第35-36页 |
第三章 SOI 波导结构特性仿真及优化设计 | 第36-47页 |
3.1 波导传输特性仿真 | 第36-43页 |
3.1.1 单模条件下波导有效折射率仿真 | 第36-38页 |
3.1.2 SOI 矩形波导截面光场分布仿真 | 第38-40页 |
3.1.3 弯曲波导传输模式仿真 | 第40-42页 |
3.1.4 端面耦合及垂直光栅耦合仿真 | 第42-43页 |
3.2 SOI 波导结构设计 | 第43-47页 |
3.2.1 第一批波导结构设计 | 第44页 |
3.2.2 第二批波导优化设计 | 第44-47页 |
第四章 SOI 波导制备 | 第47-58页 |
4.1 微机械加工工艺简介 | 第47-48页 |
4.2 SOI 集成光波导主要工艺 | 第48-53页 |
4.2.1 紫外光刻 | 第48-49页 |
4.2.2 电子束光刻 | 第49-50页 |
4.2.3 磁控溅射 | 第50-51页 |
4.2.4 ICP 刻蚀工艺 | 第51-53页 |
4.2.5 FIB 聚焦离子束 | 第53页 |
4.3 SOI 光波导制备 | 第53-58页 |
4.3.1 第一批四寸工艺结果 | 第53-54页 |
4.3.2 第二批分片工艺结果 | 第54-58页 |
第五章 SOI 光波导传输特性测试及分析 | 第58-69页 |
5.1 SOI 光波导测量系统(分离式-滑轨式) | 第58-59页 |
5.2 耦合测试 | 第59-63页 |
5.2.1 端面耦合测试 | 第59-61页 |
5.2.2 垂直耦合光栅测试 | 第61-63页 |
5.3 SOI 光波导损耗测试 | 第63-69页 |
5.3.1 SOI 矩形波导传输损耗测试 | 第64-65页 |
5.3.2 SOI 矩形波导散射损耗测试 | 第65-68页 |
5.3.3 SOI 弯曲波导损耗测试 | 第68-69页 |
第六章 总结与展望 | 第69-71页 |
参考文献 | 第71-76页 |
攻读硕士学位期间发表的论文及所取得的研究成果 | 第76-77页 |
致谢 | 第77页 |
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