半导体量子点光发射纠缠特性及量子点与贵金属纳米线的耦合
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半导体量子点在量子计算和量子信息领域具有重要的价值,是一种极具前景的纠缠光子源。金属表面等离子体在生物传感和局域场增强等方面的应用也是一个研究热点。最近,量子点与金属纳米线的耦合以实现量子信息传递的研究取得了很大的进展。本文研究了单个半导体量子点的纠缠“光子对”发射特性、纳米尺度光发射体(如量子点)与贵金属纳米线的耦合、环形纳米生物传感器件以及环形纳米光学天线的设计。具体工作有以下几个方面:1.半导体量子点纠缠“光子对”发射利用粒子数运动方程和量子回归理论,计算了单个半导体量子点双激子体系脉冲激发下粒子在各能级间辐射跃迁的二阶交叉相关函数以及系统发射光子对的偏振密度矩阵。分析了激子态简并、非简并量子点体系发射光子对偏振纠缠特性,讨论了纠缠度随激子态间自旋弛豫、频谱过滤窗宽度、输入脉冲面积的变化关系。2.金属纳米环多极共振与环形高敏感度传感器件的设计利用偶极矩近似方法和有限时域差分法分析了金属纳米环多极共振与表面等离子体波长的关系,并提出了一种提高环形生物传感器件敏感度的方案。研究结果表明,当完整纳米环、带一个小缺口的纳米环的周长分别约等于表面等离子体波长的整数、半整数倍时达到表面等离子体共振。纳米环对外界折射率的敏感度与多极共振模式数的倒数成正比,在共振主峰处,带一个缺口的纳米环的敏感度比完整环提高了约1倍。3.金属纳米环表面等离子体聚焦与环形纳米天线的设计在斜入射情况下,金属纳米环上的表面等离子体将由一端传输并聚集在另一端,增强了聚集端的局域场。利用这一等离子体聚焦透镜的性质,在聚集端加入缺口以引入表面等离子体强耦合,使环上局域场场强比偶极纳米天线提高了约37%。4.纳米尺度光发射体与贵金属纳米线的耦合采用有限时域差分法研究了纳米尺度光发射体与两根金属纳米线的耦合、表面等离子体传输、远场散射。改变光发射体与纳米线之间的距离,表面等离子体波长在380-650nm范围内可调,这引起了耦合常数和表面等离子体态密度的增加。计算结果表明,与采用单根纳米线相比,耦合进入纳米线的能量以及远场散射强度提高到大约4倍。
摘要 | 第6-8页 |
Abstract | 第8-9页 |
目录 | 第10-12页 |
引言 | 第12-15页 |
第一章 半导体量子点与表面等离子体 | 第15-22页 |
1.1 半导体量子点 | 第15-18页 |
1.1.1 半导体量子点的基本特性 | 第15页 |
1.1.2 半导体量子点的制备 | 第15-16页 |
1.1.3 半导体量子点的应用 | 第16-18页 |
1.2 表面等离子体 | 第18-21页 |
1.2.1 表面等离子体场分布特性 | 第19页 |
1.2.2 理论研究方法 | 第19-20页 |
1.2.3 微纳加工技术 | 第20页 |
1.2.4 表面等离子体应用 | 第20-21页 |
1.3 量子点与金属纳米颗粒的相互作用 | 第21-22页 |
第二章 半导体量子点可控纠缠"光子对"发射 | 第22-51页 |
2.1 "光子对"偏振纠缠基本概念 | 第22-32页 |
2.1.1 "光子对"偏振态偏振密度矩阵 | 第22-23页 |
2.1.2 光子偏振态的变换 | 第23-26页 |
2.1.3 "光子对"偏振态偏振密度矩阵的测量 | 第26-28页 |
2.1.4 纠缠判据与纠缠度 | 第28-32页 |
2.2 半导体量子点双激子体系能级结构 | 第32-37页 |
2.3 简并双激子体系纠缠光子发射特性 | 第37-40页 |
2.3.1 理想简并双激子体系纠缠光发射特性 | 第37-38页 |
2.3.2 自旋弛豫对二阶互相关函数和纠缠度的影响 | 第38-40页 |
2.4 非简并双激子体系频谱过滤与纠缠光发射 | 第40-50页 |
2.4.1 非简并双激子体系非纠缠光发射特性 | 第40页 |
2.4.2 非简并双激子体系频谱过滤法产生纠缠光的原理 | 第40-42页 |
2.4.3 频谱法分析谱过滤非简并双激子体系纠缠光发射 | 第42-44页 |
2.4.4 主方程法分析谱过滤非简并双激子体系纠缠光发射 | 第44-50页 |
2.5 小结 | 第50-51页 |
第三章 环形纳米生物传感器 | 第51-60页 |
3.1 完整纳米环多极表面等离子体共振 | 第51-53页 |
3.2 带一个缺口纳米环多极表面等离子体共振 | 第53-55页 |
3.3 纳米环对外界环境折射率的敏感度 | 第55-58页 |
3.4 小结 | 第58-60页 |
第四章 环形纳米天线 | 第60-69页 |
4.1 纳米环表面等离子体聚焦 | 第60-62页 |
4.2 不同纳米环的局域场增强 | 第62-68页 |
4.2.1 具有两个缺口纳米环 | 第62-64页 |
4.2.2 具有三个缺口纳米环 | 第64-68页 |
4.3 小结 | 第68-69页 |
第五章 纳米尺度光发射体与金属纳米线的耦合 | 第69-84页 |
5.1 纳米线表面等离子体传输模式 | 第69-72页 |
5.2 光发射体与单根纳米线的耦合 | 第72-78页 |
5.2.1 自发辐射速率 | 第72-76页 |
5.2.2 偏振角对耦合能量的影响 | 第76-78页 |
5.3 光发射体与一对纳米线的耦合 | 第78-83页 |
5.3.1 耦合强度 | 第78-82页 |
5.3.2 远场辐射 | 第82-83页 |
5.4 小结 | 第83-84页 |
第六章 总结 | 第84-86页 |
参考文献 | 第86-104页 |
读博期间发表文章 | 第104-107页 |
致谢 | 第107页 |
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