当代无线电技术与微电子技术朝着小型化、集成化方向发展。铁电材料因其具有介电性、压电性、热释电、铁电性等重要特性,越来越受到研究者的重视。BaxSr1-xTiO3具有高介电常数、较低的损耗等良好的性能,成为研究的热点之一。顺电相下BST材料具有介电常数随外加偏压而改变的特性,且在微波范围仍具有很大的介电常数,这使得BaxSr1-xTiO3材料成为移相器、滤波器、变容器等微波射频器件潜在的功能材料,具有很好的应用前景。但是在实际应用和研究中还存在着一些问题:如与硅基半导体工艺的集成,介电可调性能与损耗性能存在着矛盾。MgO具有和BST相近的晶格参数,并且具有很好的微波特性和稳定性,已经被广泛应用于微波领域。本文通过在硅衬底上射频磁控溅射MgO,并对其工艺进行优化,以此作为缓冲层生长Ba0.5Sr0.5TiO3。本文加工了插指式电容,并利用HP4192测量其介电性能,同时对比了LNO/MgO/BST复合缓冲层结构。实验研究表明:MgO缓冲层不仅改善了Ba0.5Sr0.5TiO3的结晶性能,而且缓冲层的插入提高了Ba0.5Sr0.5TiO3的介电可调性,可调率从原来的14.7%（1MHz）增加到61.5%,而且介电损耗从原来的0.15减小到0.05左右。同时在前期研究基础上,制备了LNO/MgO/BST多层复合薄膜结构,复合缓冲层结构具有更高的可调性,但同时损耗也较大,这可能与介面层的低性能有关。在此基础上,利用微细加工技术制备了共面波导结构,借助网络分析仪Agilent 8722ES S-parameter Network Analyzer测试了共面波导的传输性能。
