高性能微波毫米波振荡器研究与应用

锁相推-推介质振荡器论文 基片集成波导Gunn压控振荡器论文 注入锁定振荡器论文 IMPATT脉冲振
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振荡器是通信与雷达系统的关键部件。随着新兴无线通信与毫米波雷达的快速发展,对振荡器的性能提出了越来越高的要求——更低的相位噪声、更高的输出频率和更大的输出功率。因此对高性能振荡器进行研究具有重要的现实意义。本文重点研究了一些高性能振荡器的设计和应用,包括:推-推介质振荡器,基片集成波导Gunn压控振荡器,W波段连续波振荡器和W波段脉冲振荡器。本文的主要工作包括如下几个方面:(1)提出了一种新的锁相推-推介质振荡器电路。该电路采用基波锁相的方式实现推-推介质振荡器的锁定,并采用反相Wilkinson功分器合成单元振荡器的基波,实现双频段高稳定输出。为验证该构想,在Ku波段设计实现了原型电路,并获得了良好的相位噪声性能和杂波抑制度。除基波锁相外,本文还研究了基波注入锁定在推-推介质振荡器中的应用,分析了同相、反相两种注入锁定模式对锁定带宽和基波抑制度的影响,明确指出了反相注入锁定模式具有较宽的锁定带宽和基波抑制度。(2)基于电磁仿真工具和负阻振荡理论,详细研究了Ka波段基片集成波导Gunn压控振荡器的设计,并在低成本的介质基片上实现了该振荡器,测试结果显示该振荡器具有可供工程实用的调谐带宽、输出功率和相位噪声性能。据笔者所知,这是第一只Ka波段基片集成波导Gunn压控振荡器。(3)针对W波段成像系统对低噪声、高稳定阵列本振源的迫切需求,本文采用注入锁定Gunn振荡器实现了W波段低噪声四路输出本振源。与传统上采用IMPATT放大器的设计相比,该方案具有更低的调幅噪声。随后,针对W波段注入锁定Gunn振荡器锁定带宽较窄的缺点,提出了W波段二次亚谐波注入锁定锁相环电路,实验结果表明,在0.1 mW的U波段注入功率下采用该电路可将W波段Gunn振荡器的锁定带宽由不足20 MHz拓展到1 GHz以上。(4)首先分析了单级注入锁定脉冲放大链输出脉冲的相参性,给出了多级注入锁定相参脉冲放大链应遵循的时序方案。接着分析了注入锁定放大链的功率合成效应,并基于以上分析设计实现了W波段大功率相参脉冲发射机。该机采用大功率IMPATT脉冲振荡器作为功率输出级,在94.2 GHz±0.16 GHz频带内峰值输出功率大于20 W,且在94.2 GHz时有最大峰值输出功率22 W,锁定带宽600 MHz。同时,在注入锁定和偏置脉冲补偿电路的作用下,输出脉冲的脉内调频噪声得到极大的抑制,提高了输出脉冲的相参性。(5)为进一步提高输出功率,本文提出了一种新颖的W波段脉冲功率合成器。该功率合成器以注入锁定相参脉冲放大链为基本功率单元,H面波导T型结为3 dB功分、合成网络,在94 GHz实现了28.4 W的脉冲峰值功率,合成效率达91%。在W波段非谐振式脉冲功率合成器的相关文献中,尚未见更高合成效率的报道。
摘要第5-7页
ABSTRACT第7-8页
第一章 绪论第12-20页
    1.1 研究背景及意义第12-13页
    1.2 国内外研究进展第13-18页
        1.2.1 推-推振荡器第14-15页
        1.2.2 基片集成波导振荡器第15-16页
        1.2.3 W 波段振荡器第16-18页
        1.2.4 其它一些研究热点动态第18页
    1.3 本文主要的研究内容第18-20页
第二章 振荡器基本理论第20-41页
    2.1 线性振荡器分析第20-25页
        2.1.1 反馈式振荡器第20-21页
        2.1.2 单端口负阻振荡器第21-23页
        2.1.3 二端口负阻振荡器第23-24页
        2.1.4 开环S 参数分析法第24-25页
    2.2 非线性振荡器分析第25-30页
    2.3 振荡器相位噪声分析第30-37页
        2.3.1 相位噪声简介第30-31页
        2.3.2 线性时不变相位噪声理论第31-32页
        2.3.3 线性时变相位噪声理论第32-34页
        2.3.4 相位噪声的非线性分析第34-37页
    2.4 降低振荡器相位噪声的方法第37-40页
        2.4.1 低相噪振荡器设计规则第37页
        2.4.2 锁相环技术第37-38页
        2.4.3 注入锁定技术第38-40页
    2.5 本章小结第40-41页
第三章 基波锁定推-推介质振荡器研究第41-68页
    3.1 推-推振荡器原理第41-43页
    3.2 推-推振荡器的特点第43-45页
    3.3 推-推振荡器的设计方法第45-46页
    3.4 基波锁相双频段推-推介质振荡器设计第46-62页
        3.4.1 方案的提出第46-47页
        3.4.2 推-推介质振荡器的设计第47-55页
        3.4.3 反相Wilkinson 功分器设计第55-58页
        3.4.4 锁相电路设计第58-59页
        3.4.5 基波锁相双频段推-推介质振荡器的测试结果第59-62页
    3.5 基波注入锁定推-推介质振荡器研究第62-67页
        3.5.1 同相与反相注入锁定分析第62-64页
        3.5.2 基波注入锁定推-推介质振荡器的实验研究第64-67页
    3.6 本章小结第67-68页
第四章 Ka 波段基片集成波导Gunn 压控振荡器研究第68-84页
    4.1 基片集成波导概述第68-73页
        4.1.1 基片集成波导的结构与传输特性分析第68-71页
        4.1.2 基片集成波导与矩形波导的等效关系第71-72页
        4.1.3 基片集成波导的损耗特性第72-73页
    4.2 Ka 波段基片集成波导Gunn 压控振荡器设计第73-80页
        4.2.1 基片集成波导谐振器设计第74-76页
        4.2.2 基片集成波导-微带过渡与偏置电路设计第76-77页
        4.2.3 结构参数对起振条件的影响第77-80页
    4.3 Ka 波段基片集成波导Gunn 压控振荡器的测试结果第80-83页
    4.4 本章小结第83-84页
第五章 W 波段注入锁定连续波Gunn 振荡器研究第84-103页
    5.1 W 波段注入锁定四路输出本振源第84-92页
        5.1.1 方案的提出第84-85页
        5.1.2 U 波段四倍频器的研制第85-86页
        5.1.3 基波注入锁定W 波段Gunn 谐波振荡器设计第86-90页
        5.1.4 W 波段注入锁定四路输出本振源的测试结果第90-92页
    5.2 W 波段二次亚谐波注入锁定锁相环研究第92-101页
        5.2.1 注入锁定带宽展宽方法概述第92-93页
        5.2.2 W 波段二次亚谐波注入锁定锁相环的锁定带宽第93-95页
        5.2.3 W 波段二次亚谐波注入锁定锁相环的相位噪声第95-96页
        5.2.4 W 波段二次亚谐波注入锁定锁相环电路设计第96-99页
        5.2.5 W 波段二次亚谐波注入锁定锁相环的测试结果第99-101页
    5.3 本章小结第101-103页
第六章 基于IMPATT 振荡器的W 波段相参脉冲源研究第103-135页
    6.1 注入锁定脉冲放大链的相参性第103-107页
        6.1.1 单级注入锁定脉冲放大链输出脉冲相参性的分析第104-106页
        6.1.2 多级注入锁定相参脉冲放大链的时序方案第106-107页
    6.2 注入锁定放大链的功率合成效应第107-110页
    6.3 W 波段大功率相参脉冲发射机设计第110-129页
        6.3.1 指标要求及分析第111-112页
        6.3.2 发射机方案的确定第112-113页
        6.3.3 大功率IMPATT 脉冲振荡器设计第113-125页
        6.3.4 发射机的测试结果第125-129页
    6.4 W 波段脉冲功率合成技术研究第129-134页
        6.4.1 W 波段脉冲功率合成器设计第130-132页
        6.4.2 脉冲功率合成器的测试结果第132-134页
    6.5 本章小结第134-135页
第七章 结论第135-138页
    7.1 本文的主要贡献第135-136页
    7.2 下一步工作展望第136-138页
致谢第138-139页
参考文献第139-148页
攻博期间取得的研究成果第148-150页
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