GaN纳米线和SnO2包覆多层碳纳米管阵列的制备及其光电特性研究

一维纳米结构论文 GaN论文 紫外探测论文 SnO_2包覆论文 定向MWCNTs论文
论文详情
紫外光探测和能量存储一直是光、电领域的重点研究课题,本文以GaN和SnO2为出发点,分别进行了这两种材料一维纳米结构的制备、结构形貌分析、光电特性研究等的工作。本文主要结果如下:1、采用化学气相沉积法在镀Au的p-n GaN薄膜上制备了斜生长的GaN纳米线,分析了其生长机理,并研究了反应过程中压强、衬底距源的位置对产物形貌的影响。2、对GaN纳米线/GaN薄膜进行了紫外探测性能研究,在零偏压下,对365nm紫外光有着非常强的光电相应,开关比达到1800倍,比没有生长GaN纳米线的GaN薄膜高出20倍。并分析了紫外探测的响应机制。3、采用化学气相法首次合成SnO2包覆定向MWCNTs的复合材料,通过X射线衍射(XRD),场发射扫描显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)等对复合材料的结构和形貌进行了研究,所得样品非常整齐的垂直于衬底向上,非常均匀,直径为100200nm。每根碳管都包覆的比较一致。4、通过循环伏安等手段对所得材料进行了电学方面的研究,结果表明包覆SnO2后所形成的复合电极的循环伏安曲线出现了非常明显的氧化还原峰。通过比较发现,包覆SnO2后的复合电极容量有较大增加。5、研究了不同电解质对复合电极循环伏安特性的影响,结果表明复合电极在0.5M/L Na2SO4电解液中电容表现优于在1M/L H2SO4电解液中。
摘要第4-5页
Abstract第5页
1 绪论第8-16页
    1.1 引言第8-9页
    1.2 GaN 材料及紫外探测简介第9-12页
    1.3 SnO2 材料及超级电容简介第12-15页
    1.4 本文所研究内容第15-16页
2 GaN 纳米线的制备及性质研究第16-31页
    2.1 仪器设备第16-17页
    2.2 材料生长第17-19页
    2.3 结果分析第19-24页
    2.4 生长条件对结果的影响:第24-26页
    2.5 紫外探测性能研究第26-29页
    2.6 本章小结第29-31页
3 SnO_2包覆多壁碳纳米管整列材料的制备及其超级电容研究第31-47页
    3.1 材料生长第31-33页
    3.2 结果分析第33-36页
    3.3 超级电容性能研究第36-41页
    3.4 其他几种 SnO2 纳米结构的制备及分析第41-46页
    3.5 本章小结第46-47页
5 总结与展望第47-49页
    5.1 全文总结第47-48页
    5.2 展望第48-49页
致谢第49-50页
参考文献第50-56页
附录Ⅰ 硕士研究生期间完成论文情况第56页
论文购买
论文编号ABS2411789,这篇论文共56页
会员购买按0.30元/页下载,共需支付16.8
不是会员,注册会员
会员更优惠充值送钱
直接购买按0.5元/页下载,共需要支付28
只需这篇论文,无需注册!
直接网上支付,方便快捷!
相关论文

点击收藏 | 在线购卡 | 站内搜索 | 网站地图
版权所有 艾博士论文 Copyright(C) All Rights Reserved
版权申明:本文摘要目录由会员***投稿,艾博士论文编辑,如作者需要删除论文目录请通过QQ告知我们,承诺24小时内删除。
联系方式: QQ:277865656